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    • CW32L010安全低功耗（hào）MCU，树立M0+产（chǎn）品（pǐn）行业（yè）新标杆！

    发布时间：2024-10-09 发布者：武（wǔ）汉开云和芯源半导（dǎo）体 内容（róng）来（lái）源：武（wǔ）汉开云和芯源半导体有限（xiàn）公司（sī）

    2024年9月（yuè）26日，武汉芯（xīn）源半导体CW32L010系列（liè）产品正式（shì）官方发布。这款（kuǎn）产品以其卓越的产品性能，迅速在业界引起了（le）广泛关注，并成功（gōng）树立M0+产品行业的新标（biāo）杆。

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    CW32L010系列产品是（shì）基于 eFlash 的单芯片低功耗微控制器（qì），集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核（hé）、高速嵌入式存（cún）储（chǔ）器（多（duō）至（zhì） 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字节（jiē） SRAM）以及一系列全面的增强型（xíng）外设和（hé） I/O 口。

    内部框图（tú）

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    所有型号都提供全套（tào）的（de）通信接口（二路 UART、一路 SPI 和一路 I2C）、12 位高速（sù） ADC、四组通（tōng）用和基本定时（shí）器、一组（zǔ）低功耗定（dìng）时（shí）器以及一组高（gāo）级控制 PWM 定时器。

    CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范（fàn）围内工作，供（gòng）电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep两种低功耗（hào）工作模（mó）式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范围内工作（zuò），供电电压（yā）宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两（liǎng）种低功耗工作模式。

    产品优势



    1，64K超（chāo）大（dà）Flash存储容量

    在微控制器（MCU）的众多（duō）特性中，eFlash存储容量是（shì）最主要（yào）的关键参数之一。CW32L010系列产品存储容量最大 64K 字节 FLASH，数据保持（chí） 25 年 @-40℃ ~ +85℃，支持擦（cā）写保护、读保护和安全（quán）运（yùn）行库保（bǎo）护功能。

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    确（què）保高访问（wèn）速度：可（kě）确保指（zhǐ）令的快速（sù）执行，满足实时性要求高的应用场景。

    易（yì）于升级迭代：在同等成（chéng）本下，扩大存（cún）储（chǔ）容量，为用户（hù）提供同（tóng）级最宽裕的程序和非易失存储空间，使得产品（pǐn）在面临功（gōng）能升级或迭（dié）代时（shí），能够更加（jiā）灵活地进行软件更新和扩展。

    减少（shǎo）EEPROM依（yī）赖：通过（guò）提供充足的非易失性存（cún）储，减少了（le）对外部EEPROM的依赖（lài），降低了系统成（chéng）本和复杂（zá）性。

    耐用（yòng）性更高：Flash擦（cā）写寿（shòu）命高达10,000次，符（fú）合标杆（gǎn）要求，确（què）保了产品的长期（qī）稳定运（yùn）行（háng）。


    2、黑客级代码安（ān）全（quán）防护

    在微控制器（MCU）领域（yù），保护（hù）用户的代码和知识（shí）产权至关重要。CW32L010系列MCU，以其创新的安全特性，为（wéi）用户提供了一个坚不可摧的代码（mǎ）保护（hù）解决方案。

    尽管目前大多数MCU都支持多种安（ān）全等（děng）级，阻止通过SWD/ISP接口读取Flash内容。但通（tōng）过下载间谍程序，用挟持内核的方式（shì）对Flash指令区做数据（jù）访问一般都被允许。

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    CW32L010系列产品可以阻止这个入侵，我们允许用（yòng）户划定一块（kuài）指令存储区域，只能通过指（zhǐ）令（lìng）总线取指令执行，不允许通过数据总线访（fǎng）问数据。在这个区域内，即使（shǐ）攻击者尝试通过下载间谍程序挟持内核，也无法（fǎ）访（fǎng）问这块（kuài）被保护的存储区域（yù）。用户可以将（jiāng）包含（hán）敏感算（suàn）法和关键功能的代（dài）码（mǎ）库存储在（zài）该区域，确保这些（xiē）核心资产只能被调用（yòng），无（wú）法被复制（zhì）或篡改。


    3、极限超低功（gōng）耗0.3uA，85℃高温漏电仅1.2uA

    超低功耗（hào）工作模（mó）式非常多，一般用户较（jiào）关注待机（jī）电流（常（cháng）温/高温）、全速运行电流等（děng）几个主（zhǔ）要指标（biāo）。

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    CW32L010采用特别工艺制程，将待机电流控制（zhì）在0.3uA，高温待机电流是竞品平均水平的1/4~1/8。


    4、全（quán）新设计兼容G4相关IP的（de）高级定时（shí）器（qì）

    高级定时器通常用于三相PWM输出（chū），经（jīng）常（cháng）需（xū）要与ADC紧密配合使用（yòng）。我们全新（xīn）设计（jì）了（le）高级定（dìng）时（shí）器，在对G4相（xiàng）关IP兼容的同时还增加了部分特色功能（néng），例如PWM移相、多点比较（jiào）等等（děng），单（dān）个高级（jí）定时器支（zhī）持多达6对互（hù）补PWM输出（chū）。

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    多种灵活的（de）PWM移（yí）相模（mó）式：在保持占（zhàn）空比不变（biàn）的同时，可根（gēn）据采样（yàng）时机的需求调整PWM边沿位置。

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    5、RTC补偿精度是0.060ppm，支持（chí）亚秒级读数

    CW32L010在设计时对（duì）RTC补偿机制进行了优化，可选择32，128，256秒为（wéi）一个补偿周期，最精细的补偿（cháng）精度可达到0.060ppm，支持亚秒级读数（shù）。

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    6、全面升（shēng）级的（de）低功（gōng）耗（hào）串（chuàn）口（kǒu），支持（chí）LIN、RS485硬（yìng）件使能

    低功耗串口（kǒu）接收数据可（kě）灵（líng）活配置接口电平，可产生（shēng）关键字中断和帧超时（shí）中断（duàn），支持LIN、RS485硬（yìng）件（jiàn）使能、TXD和RXD互换及内部（bù）回环功能、LSB/MSB硬件转换。

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    7、85℃ Latch Up测试成绩优异，闩（shuān）锁门限测试成绩高（gāo）达±600mA

    在（zài）MCU的设计和（hé）应（yīng）用中，静（jìng）电放电（ESD）的（de）防（fáng）护能力是衡量产（chǎn）品可靠性的重要指（zhǐ）标之一。其（qí）中高温Latch Up（闩锁）测试可以说明一（yī）定问题，CW32L010在高温（wēn）Latch Up（闩锁）测试中表现出色，闩锁门限测试成绩高达±600mA，远高于行业一般水平，相比竞品一般水（shuǐ）平为3~6倍。强大的ESD防护能够保护MCU内部数据不受静电放电的影（yǐng）响以及（jí）在各（gè）种环（huán）境下的长期稳定运行（háng）。

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    8、16路ADC输入2M采（cǎi）样率，采样（yàng）保持时间可独立配（pèi）置

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    9、内部时钟源特性无惧（jù）挑剔


    在当前（qián）的（de）电子（zǐ）市场，"低（dī）成本内卷（juàn）"已（yǐ）成为一个不可忽视的现象（xiàng）。在这一背（bèi）景下，外置晶（jīng）体的成（chéng）本优（yōu）化变得尤（yóu）为（wéi）重要（yào），这一（yī）指标考验的是MCU内置RC时钟源的（de）技术特（tè）性。CW32L010的（de）内（nèi）置时钟（zhōng）源，不论是（shì）HSI还是LSI，都大幅（fú）优于竞品。

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    CW32L010系列产品基于（yú）华虹半（bàn）导体（tǐ）最新的90nm超低漏电嵌入（rù）式闪存工艺，极（jí）其出色的性能和更合理的价格定位，为（wéi）用户（hù）带来了极具竞争（zhēng）力的（de）选择，实（shí）现了高性能与低成本的（de）完美结合。

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    CW32L010系（xì）列产品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同（tóng）的封装形式，不同封装的（de）产品所（suǒ）能实现的功能有所不（bú）同，具体情况如下表所示：

     CW32L010 家族产品功能列表

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    CW32L010系列产品的发布，是武汉芯（xīn）源半导（dǎo）体对市场需（xū）求的积极（jí）响（xiǎng）应，也是公（gōng）司（sī）持（chí）续（xù）创新（xīn）和技术研发实（shí）力的展现。随着这款产品的（de）正式（shì）上市，预计将推动公（gōng）司业务的（de）增长，并（bìng）为合（hé）作伙伴和客户带来更多价值。让我们共同（tóng）期（qī）待CW32L010系列产（chǎn）品（pǐn）在未来的精（jīng）彩表（biǎo）现！同时（shí），我（wǒ）们也期待（dài）与您（nín）携手合作，共创（chuàng）更（gèng）加美好的未来！

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