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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    70

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    74

    最（zuì）大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

    47

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结（jié）技术（shù）的（de）功率MOSFET



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