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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    700

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    900

    导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    1100

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    5

    通道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描（miáo）述（shù）：

    700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET


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