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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    11

    驱动电压(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描述：

    650V，360mΩ，11A，N沟道基（jī）于超级结技术（shù）的功率MOSFET



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