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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    700

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    850

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    5

    驱动电（diàn）压（yā）(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    DPAK-3/-55~125

    描述：

    650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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