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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最（zuì）大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

    11

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述（shù）：

    650V,360mΩ,5A,N沟（gōu）道基于（yú）超级结（jié）技术的功率MOSFET



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