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    • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    20

    驱动电压(V)：

    10

    通道极性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,190mΩ,20A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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