
PRODUCT CENTER
产品中(zhōng)心
漏源电压(yā)BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 65 |
导通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.): | 70 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 47 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温(wēn)度(℃): | TO-247-3L/-55~125 |
描述: | 600V,70mΩ,47A,N沟道基于超(chāo)级结技(jì)术的功率MOSFET |
-
产品中心
-
应用方(fāng)案
-
技(jì)术支持
-
新闻资讯
-
关(guān)于(yú)我们

添(tiān)加官方客服(fú) 快(kuài)速申请(qǐng)样品

关(guān)注(zhù)官(guān)方微信公众(zhòng)号 随时掌握(wò)最(zuì)新动(dòng)态
版权所有©2021 武汉开云和芯源半导体有限公司
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号

-
服务热线
全国(guó)咨询电话:
18002584030(微信(xìn)同号)
商务合(hé)作:
胡(hú)女士:13689515916(微信同号) janney@icchain.com
-
微(wēi)信咨(zī)询
-
样(yàng)品申(shēn)请(qǐng)